EDA/IP公司和IDM并不是Fabless类别，但由于数量较少且和IC设计强相关也暂时纳入了Fabless100的排名中（此排名只统计了A股），帮助大家了解其相对位置。
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IC设计
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
据媒体报道，美国与中国在瑞士日内瓦的谈判后，宣布暂时停止关税对抗，为期90天。双方将关税降低至10%，但美国对中国芬太尼的关税仍未取消，整体新增关税维持在30%。科技业界对此反应冷静，主要因为此前美国已宣布部分电子产品暂时豁免关税。手机、PC、网通与服务器等产品本就未受影响，此次协议则进一步降低了无线耳机、蓝牙音箱、电视、游戏机等消费性电子产品的关税。然而，由于这些产品的组装已部分转移至中国大陆以外地区，即使关税下降，也难以迅速回流至中国生产。IC设计业者表示，客户可能会根据关税与生产成本差距，考虑将部分
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美中关税 IC设计
中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
根据TrendForce最新研究，2024年全球IC设计前十大业者，台厂联发科、瑞昱、联咏再度上榜; 得益于AI热潮的推进，英伟达不意外成为IC设计产业霸主，更独占前十大业者总营收的50%。TrendForce分析，AI所需高端芯片制造需要庞大资本投入和先进技术，使得市场进入门槛极高，导致产业开始出现明显寡占现象; 于2024年数据指出，前五大IC设计业者的营收合计占前十大业者总营收的90%以上，代表市场资源与技术优势正向少数领先企业集中。英伟达是AI浪潮最大受惠者，去年合并营收高达1,243亿美元，占前
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TrendForce IC设计 英伟达
最成功的半导体公司都知道，集成电路 （IC） 设计日益复杂，这让我们的传统设计规则检查 （DRC） 方法不堪重负。迭代的“通过校正构建”方法适用于更简单的自定义布局，但现在却造成了大量的运行时和资源瓶颈，阻碍了设计团队有效验证其高级设计和满足紧迫的上市时间目标的能力。为了克服这种设计复杂性，主要半导体公司不断从其生态系统合作伙伴那里寻找有效的工具。西门子 EDA 是一家大型电子设计自动化 （EDA） 公司，它提供了一种新的、强大的左移验证策略，他们对其进行了评估并宣布它改变了他们早期设计阶段的游
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左移DRC 设计规则 IC设计 复杂性
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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3D NAND 深孔蚀刻
斯坦福大学教授李飞飞已经在 AI 历史上赢得了自己的地位。她在深度学习革命中发挥了重要作用，多年来努力创建 ImageNet 数据集和竞赛，挑战 AI 系统识别 1000 个类别的物体和动物。2012 年，一个名为 AlexNet 的神经网络在 AI 研究界引起了震动，它的性能远远超过了所有其他类型的模型，并赢得了 ImageNet 比赛。从那时起，神经网络开始腾飞，由互联网上现在提供的大量免费训练数据和提供前所未有的计算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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李飞飞对计算机视觉的愿景：World Labs 正在为机器提供 3D 空间智能
12月5日消息，美国当地时间周三，谷歌旗下人工智能研究机构DeepMind推出了一款新模型，能够创造出“无穷无尽”且各具特色的3D世界。这款模型名为Genie 2，是DeepMind在今年早些时候推出的Genie模型的升级版。仅凭一张图片和一段文字描述，例如“一个可爱的机器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能构建出一个交互式的实时场景。在这方面，它与李飞飞创立的World Labs以及以色列新兴企业Decart所开发的模型有着异曲同工之妙。DeepMind宣称，Genie 2能够生成“丰富多样的3D
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谷歌 DeepMind Genie 2 模型 3D 互动世界
Teledyne DALSA推出在线3D机器视觉应用开发的软件工具Z-Trak™ 3D Apps Studio。该工具旨在与Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光扫描仪配合使用，可简化生产线上的3D测量和检测任务。Z-Trak 3D Apps Studio能够处理具有不同表面类型、尺寸和几何特征的物体的3D扫描，是电动汽车（电动汽车电池、电机定子等）、汽车、电子、半导体、包装、物流、金属制造、木材等众多行业工厂自动化应用的理想之选。Z-Trak 3D Apps Studio具有简化的工具，用于
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Teledyne 3D测量 Z-Trak 3D Apps Studio
据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和第
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三星 光刻胶 3D NAND
台积电OIP（开放创新平台）于美西当地时间25日展开，除表扬包括力旺、M31在内之业者外，更计划推出3Dblox新标准，进一步加速3D IC生态系统创新，并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示，将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战，帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑，与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作，推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
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台积电 OIP 3D IC设计
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