全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
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铠侠 3D 闪存 TLC存储器 闪存 3D闪存
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
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EDA 3D IC 数字孪生
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
2025年，中国长达一个月的618档期终于在上周正式结束。 供应链人士直言，政策补贴效应大概到第2季就已经进入尾声，整个618档期大概就是这次补贴政策的最后一波销售带动，相比于过去每个购物节都能缴出不错的成绩单，今年的618则不如往年热络。业者坦言，虽然最终结算数据，比起去年好些，但因为现在中国各类促销档期都愈来愈长，显然以往短时间冲刺的促销动能已难以维持，多半都是以较长的促销时间段，尽可能把更多销售数据包含进来。即便中国从2024年底推出各种家电、消费电子产品的旧换新补贴政策，但IC设计业者观察，其实近
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补贴 IC设计
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
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2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
EDA/IP公司和IDM并不是Fabless类别，但由于数量较少且和IC设计强相关也暂时纳入了Fabless100的排名中（此排名只统计了A股），帮助大家了解其相对位置。
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IC设计
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
据媒体报道，美国与中国在瑞士日内瓦的谈判后，宣布暂时停止关税对抗，为期90天。双方将关税降低至10%，但美国对中国芬太尼的关税仍未取消，整体新增关税维持在30%。科技业界对此反应冷静，主要因为此前美国已宣布部分电子产品暂时豁免关税。手机、PC、网通与服务器等产品本就未受影响，此次协议则进一步降低了无线耳机、蓝牙音箱、电视、游戏机等消费性电子产品的关税。然而，由于这些产品的组装已部分转移至中国大陆以外地区，即使关税下降，也难以迅速回流至中国生产。IC设计业者表示，客户可能会根据关税与生产成本差距，考虑将部分
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美中关税 IC设计
中国的研究人员开发了一种开创性的方法，可以为射频传感器构建分辨率低于 10 微米的高纵横比 3D 微结构。该技术以 1：4 的宽高比实现了深沟槽，同时还实现了对共振特性的精确控制并显着提高了性能。这种混合技术不仅提高了 RF 超结构的品质因数 （Q 因子） 和频率可调性，而且还将器件占用空间减少了多达 45%。这为传感、MEMS 和 RF 超材料领域的下一代应用铺平了道路。电子束光刻和纳米压印等传统光刻技术难以满足对超精细、高纵横比结构的需求。厚度控制不佳、侧壁不均匀和材料限制限制了性能和可扩展性。该技术
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3D 射频传感器
Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时，该公司表示，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上，即分拆前不久，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西。在同
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Sandisk 3D-NAND
根据TrendForce最新研究，2024年全球IC设计前十大业者，台厂联发科、瑞昱、联咏再度上榜; 得益于AI热潮的推进，英伟达不意外成为IC设计产业霸主，更独占前十大业者总营收的50%。TrendForce分析，AI所需高端芯片制造需要庞大资本投入和先进技术，使得市场进入门槛极高，导致产业开始出现明显寡占现象; 于2024年数据指出，前五大IC设计业者的营收合计占前十大业者总营收的90%以上，代表市场资源与技术优势正向少数领先企业集中。英伟达是AI浪潮最大受惠者，去年合并营收高达1,243亿美元，占前
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TrendForce IC设计 英伟达
最成功的半导体公司都知道，集成电路 （IC） 设计日益复杂，这让我们的传统设计规则检查 （DRC） 方法不堪重负。迭代的“通过校正构建”方法适用于更简单的自定义布局，但现在却造成了大量的运行时和资源瓶颈，阻碍了设计团队有效验证其高级设计和满足紧迫的上市时间目标的能力。为了克服这种设计复杂性，主要半导体公司不断从其生态系统合作伙伴那里寻找有效的工具。西门子 EDA 是一家大型电子设计自动化 （EDA） 公司，它提供了一种新的、强大的左移验证策略，他们对其进行了评估并宣布它改变了他们早期设计阶段的游
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左移DRC 设计规则 IC设计 复杂性
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
日前，紫光国微在投资者互动平台透露，公司在无锡建设的高可靠性芯片封装测试项目已于2024年6月产线通线，现正在推动量产产品的上量和更多新产品的导入工作，2.5D/3D等先进封装将会根据产线运行情况择机启动。据了解，无锡紫光集电高可靠性芯片封装测试项目是紫光集团在芯片制造领域的重点布局项目，也是紫光国微在高可靠芯片领域的重要产业链延伸。拟建设小批量、多品种智能信息高质量可靠性标准塑料封装和陶瓷封装生产线，对保障高可靠芯片的产业链稳定和安全具有重要作用。
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紫光国微 2D/3D 芯片封装
据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
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3D NAND 深孔蚀刻
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